Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
Si4435DYPbF
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Ganancia de Potencia Típica
0
$ 7,27
$ 0,727 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
$ 7,27
$ 0,727 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,727 | $ 7,27 |
100 - 240 | $ 0,689 | $ 6,89 |
250 - 490 | $ 0,661 | $ 6,61 |
500 - 990 | $ 0,632 | $ 6,32 |
1000+ | $ 0,588 | $ 5,88 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
Si4435DYPbF
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Ganancia de Potencia Típica
0