MOSFET Vishay SI1902CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,1 A, SOT-363 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 146-4435Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1902CDL-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

306 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

0.42 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

12 V

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 10 V

Profundidad

2.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Vishay SI1902CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,1 A, SOT-363 de 6 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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N

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1.1 A

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Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

306 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

0.42 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

12 V

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 10 V

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