MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9055Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1029X-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

190 mA, 300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 9,24
40$ 18,48
60$ 27,71
80$ 36,95
100$ 46,19
120$ 55,43
140$ 64,67
160$ 73,91
180$ 83,14
200$ 86,62
220$ 95,29
240$ 103,95
260$ 112,61
280$ 121,27
300$ 129,94

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160$ 73,91
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200$ 86,62
220$ 95,29
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260$ 112,61
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180$ 0,462$ 9,24
200 - 480$ 0,433$ 8,66
500 - 980$ 0,393$ 7,86
1000 - 1980$ 0,369$ 7,39
2000+$ 0,347$ 6,94

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6

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3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Profundidad

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