Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 4,96
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1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 4,96 |
10 - 49 | $ 4,21 |
50 - 99 | $ 3,73 |
100 - 249 | $ 3,48 |
250+ | $ 2,98 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto