Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Transistor Configuration
Single
Profundidad
3.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.9mm
Altura
3.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
100
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VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Transistor Configuration
Single
Profundidad
3.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.9mm
Altura
3.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines
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