Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,80
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 1,80
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,80 | € 89,99 |
100 - 200 | € 1,71 | € 85,49 |
250+ | € 1,62 | € 80,99 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto