MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 380,33
€ 0,127 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Montaje superficial
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3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
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1.7 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Altura
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