Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,6 nC a 10 V
Longitud:
5mm
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,6 nC a 10 V
Longitud:
5mm
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V