MOSFET Toshiba TK6P65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 5,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.05 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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| 50 - 90 | € 0,549 | € 5,49 |
| 100 - 490 | € 0,533 | € 5,33 |
| 500 - 990 | € 0,511 | € 5,11 |
| 1000+ | € 0,498 | € 4,98 |
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Series
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DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.05 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Altura
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Tensión de diodo directa
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