N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK20J60U(F)
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
40.5mm
Profundidad
4.8mm
Material del transistor
Si
Series
TK
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
19mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
40.5mm
Profundidad
4.8mm
Material del transistor
Si
Series
TK
Temperatura Mínima de Operación
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