Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTamaño de la Memoria
2Gbit
Organización
2048 x 8 bits
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
40µs
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones
20 x 12mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
2048
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba
BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.
BENAND™ SLC NAND Flash Memory
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P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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ToshibaTamaño de la Memoria
2Gbit
Organización
2048 x 8 bits
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
40µs
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones
20 x 12mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
2048
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba
BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.