Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2E+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
250 - 250 | € 0,035 | € 8,67 |
500 - 750 | € 0,035 | € 8,67 |
1000 - 1250 | € 0,031 | € 7,77 |
1500 - 2750 | € 0,031 | € 7,77 |
3000+ | € 0,029 | € 7,18 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2E+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon