Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,89
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,89 | € 4,45 |
25 - 45 | € 0,845 | € 4,22 |
50 - 120 | € 0,763 | € 3,81 |
125 - 245 | € 0,683 | € 3,42 |
250+ | € 0,652 | € 3,26 |
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto