Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Ancho
5.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,763
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Empaque de Producción (Rollo)
5
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Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Ancho
5.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto