MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG, VDSS 60 V, ID 23 A, SOP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3611Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM120N06LCS RLGIMPA: 0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Tipo de Canal

N

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Conteo de Pines

8

Transistor Configuration

Single

Tensión de diodo directa

1V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Altura

1.55mm

Ancho

3.9mm

Disipación de Potencia Máxima

12.5 W

Longitud

4.85mm

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Tipo de Encapsulado

SOP

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Brand

Taiwan Semiconductor

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2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
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Mejora

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1

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N

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-55 °C

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8

Transistor Configuration

Single

Tensión de diodo directa

1V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Altura

1.55mm

Ancho

3.9mm

Disipación de Potencia Máxima

12.5 W

Longitud

4.85mm

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Tipo de Encapsulado

SOP

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