MOSFET STMicroelectronics STP10NK60ZFP, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Profundidad
4.6mm
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Longitud:
10.4mm
Altura
9.3mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Brand
STMicroelectronicsCarga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
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€ 2,852
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,852 | € 14,26 |
| 10 - 95 | € 2,42 | € 12,10 |
| 100 - 495 | € 1,885 | € 9,42 |
| 500 - 995 | € 1,601 | € 8,00 |
| 1000+ | € 1,333 | € 6,66 |
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N
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Profundidad
4.6mm
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Longitud:
10.4mm
Altura
9.3mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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