IGBT, STGB3NC120HDT4, N-Canal, 14 A, 1.200 V, D²PAK, 3-Pines 1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
14 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
D2PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
País de Origen
China
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
14 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
D2PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
País de Origen
China