MOSFET STMicroelectronics STF28N60DM2, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
21,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Altura
16.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
16.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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