Módulo IGBT, SKM200GB12E4 , N-Canal, 314 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7-Pines Serie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
314 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Configuration
Dual Half Bridge
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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N
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Temperatura Mínima de Operación
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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