Memoria SRAM Renesas Electronics, 64Mbit, 4M palabras x 16 bits, 8M palabras x 8 bits, TSOP-48, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
64Mbit
Organización
4M words x 16 bit, 8M words x 8 bit
Número de Palabras
4M, 8M
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
21 bit, 22 bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1mm
Altura
1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Ancho
12.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
18.5mm
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1WV, Renesas Electronics
La serie R1WV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
SRAM (Static Random Access Memory)
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Estándar
1
P.O.A.
Estándar
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
64Mbit
Organización
4M words x 16 bit, 8M words x 8 bit
Número de Palabras
4M, 8M
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
21 bit, 22 bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1mm
Altura
1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Ancho
12.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
18.5mm
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1WV, Renesas Electronics
La serie R1WV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL