Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Serie
FC
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Serie
FC
País de Origen
China
Datos del producto