Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
5 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 Vdc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
País de Origen
China
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
5 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 Vdc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
País de Origen
China