Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
MegaFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
131 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 20 V
Altura
9.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 1,641
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 1,641
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,641 | € 82,04 |
100 - 450 | € 1,39 | € 69,50 |
500 - 950 | € 1,209 | € 60,46 |
1000+ | € 1,174 | € 58,68 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
MegaFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
131 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 20 V
Altura
9.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.