Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,291 | € 7,28 |
125 - 475 | € 0,134 | € 3,36 |
500 - 1225 | € 0,126 | € 3,15 |
1250+ | € 0,111 | € 2,76 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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