MOSFET onsemi NTR4503NT1G, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,292 | € 7,30 |
| 100 - 225 | € 0,252 | € 6,29 |
| 250 - 475 | € 0,218 | € 5,45 |
| 500 - 975 | € 0,192 | € 4,80 |
| 1000+ | € 0,174 | € 4,35 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,9 nC a 4,5 V, 3,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
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