Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto