Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 V, 30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,326
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
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25 - 100 | € 0,326 | € 8,16 |
125 - 225 | € 0,31 | € 7,75 |
250 - 600 | € 0,294 | € 7,34 |
625 - 1225 | € 0,278 | € 6,96 |
1250+ | € 0,268 | € 6,70 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 V, 30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.