Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
337 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
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€ 8,666
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 8,666
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30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | € 8,666 | € 259,98 |
120 - 240 | € 8,438 | € 253,14 |
270 - 480 | € 8,222 | € 246,65 |
510+ | € 8,016 | € 240,47 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
337 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China