AEC-Q101 Diodo, NRVTSA4100ET3G, Rectificador Schottky, 4A, 100V Barrera Schottky, DO-214AC (SMA), 2-Pines

Código de producto RS: 141-3561Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NRVTSA4100ET3G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DO-214AC (SMA)

Corriente Continua Máxima Directa

4A

Tensión Repetitiva Inversa de Pico

100V

Configuración de diodo

Single

Tipo de Rectificador

Rectificador Schottky

Tipo de Diodo

Schottky

Conteo de Pines

2

Número de Elementos por Chip

1

Tecnología de diodo

Barrera Schottky

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

150A

Datos del producto

On Semiconductor Diodos de barrera Schottky

Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.

• Sin Pb
• Diseñado para un montaje de placa automatizado óptimo
• Protección contra el estrés
• Caja moldeada con epoxi
• Paquete ligero de 11,7mg

Standards

Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.

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€ 0,471

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
25 - 75€ 0,471€ 11,77
100 - 225€ 0,407€ 10,16
250 - 475€ 0,352€ 8,79
500 - 975€ 0,31€ 7,75
1000+€ 0,281€ 7,03

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Barrera Schottky

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150A

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Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.

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