Controlador de factor de potencia NIS5132MN2TXG, 1 MHz DFN, 10 pines, alimentación -0,6 → 25 V

Código de producto RS: 802-1759PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NIS5132MN2TXG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Frecuencia de Conmutación Máxima

1 MHz

Interfaz

Circuito integrado de controlador de factor de potencia

Corriente Máxima de Sumidero

-25µA

Corriente de Alimentación Máxima

3.6 A

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Conteo de Pines

10

Dimensiones del Cuerpo

3 x 3 x 0.95mm

Altura

0.95mm

Longitud

3mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Profundidad

3mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

-0.6 V

Datos del producto

Fusible electrónico, ON Semiconductor

Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
Una resistencia establece el límite de corriente
Un condensador programa los tiempos de subida de la salida al encendido (sólo NIS5132)

Voltage & Current Management, ON Semiconductor

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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
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500 - 990€ 0,645€ 6,45
1000 - 2990€ 0,505€ 5,06
3000+€ 0,471€ 4,71

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Tipo de Encapsulado

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3 x 3 x 0.95mm

Altura

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Longitud

3mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Profundidad

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Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

-0.6 V

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Fusible electrónico, ON Semiconductor

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Dispositivo de potencia con protección térmica
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Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
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