Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
300 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
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€ 0,026
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000 - 3000 | € 0,026 | € 78,94 |
6000+ | € 0,025 | € 75,35 |
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
300 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm