Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
5 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
14pF
Capacidad Fuente-Puerta
14pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
$ 0,16
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
50
$ 0,16
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 50 | $ 0,16 | $ 8,01 |
100 - 200 | $ 0,089 | $ 4,44 |
250 - 450 | $ 0,086 | $ 4,32 |
500 - 950 | $ 0,083 | $ 4,13 |
1000+ | $ 0,069 | $ 3,44 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
5 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
14pF
Capacidad Fuente-Puerta
14pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.