Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
30 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
5
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Longitud:
10mm
Altura
1.5mm
Profundidad
4mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
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P.O.A.
48
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48
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
30 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
5
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Longitud:
10mm
Altura
1.5mm
Profundidad
4mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.