MOSFET onsemi FDMS2672, VDSS 200 V, ID 20 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 759-9594PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDMS2672
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Series

UltraFET

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

5mm

Ancho

6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.75mm

Datos del producto

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 2,91

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET onsemi FDMS2672, VDSS 200 V, ID 20 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 2,91

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET onsemi FDMS2672, VDSS 200 V, ID 20 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 2,91
10 - 99€ 2,82
100 - 249€ 2,76
250 - 499€ 2,68
500+€ 2,63

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Series

UltraFET

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

5mm

Ancho

6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.75mm

Datos del producto

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more