Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Altura
0.75mm
Serie
PowerTrench
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 1,544
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,544 | € 15,44 |
100 - 490 | € 1,502 | € 15,02 |
500 - 990 | € 1,463 | € 14,63 |
1000 - 2990 | € 1,423 | € 14,23 |
3000+ | € 1,391 | € 13,90 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Altura
0.75mm
Serie
PowerTrench
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto