MOSFET onsemi FDD6637, VDSS 35 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
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