MOSFET onsemi FCMT180N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Power88 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
Power88
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Ancho
8mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 2,996 | € 29,96 |
| 100 - 240 | € 2,377 | € 23,77 |
| 250 - 490 | € 2,314 | € 23,14 |
| 500 - 990 | € 2,256 | € 22,56 |
| 1000+ | € 2,198 | € 21,98 |
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N
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650 V
Tipo de Encapsulado
Power88
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Ancho
8mm
Número de Elementos por Chip
1
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