Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,229
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 0,229
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Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,229 | € 2,29 |
100 - 140 | € 0,219 | € 2,19 |
150 - 740 | € 0,217 | € 2,17 |
750 - 1490 | € 0,212 | € 2,12 |
1500+ | € 0,202 | € 2,02 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto