Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,081
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
€ 0,081
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.