Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,069
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
200
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,069 | € 13,80 |
1000 - 2800 | € 0,048 | € 9,59 |
3000 - 8800 | € 0,037 | € 7,48 |
9000 - 44800 | € 0,034 | € 6,78 |
45000+ | € 0,069 | € 13,80 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto