JFET, 2SK932-23-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Name: JFET, 2SK932-23-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple
Brand: onsemi
SKU: 7925173P
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 792-5173PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2SK932-23-TB-E

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

10 to 17mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

10pF

Capacidad Fuente-Puerta

3pF

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.9mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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€ 0,326

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

JFET, 2SK932-23-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

100

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100 - 225	€ 0,326	€ 8,14
250 - 475	€ 0,282	€ 7,06
500 - 975	€ 0,248	€ 6,21
1000+	€ 0,226	€ 5,64

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10 to 17mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

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-15V

Transistor Configuration

Single

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Single

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Montaje superficial

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Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

10pF

Capacidad Fuente-Puerta

3pF

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.9mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

País de Origen

China

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A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.