Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
6.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
17A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.40mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
6.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
17A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.40mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto