IGBT, NGTB30N60SWG, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Corriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Disipación de Potencia Máxima
189 W
Brand
ON SemiconductorDimensiones
16.26 x 5.3 x 21.08mm
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P.O.A.
2
P.O.A.
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Corriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Disipación de Potencia Máxima
189 W
Brand
ON SemiconductorDimensiones
16.26 x 5.3 x 21.08mm