Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConteo de Pines
8
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tiempo de Bajada
19ns
Número de salidas
1
Tiempo de Subida
18ns
Topología
Half Bridge
Número de Drivers
1
Retardo de tiempo
25ns
Tipo de Puente
Medio puente
Polarity
Inverting
Tipo de montaje
Surface Mount
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Información de stock no disponible temporalmente.
P.O.A.
Driver MOSFET de potencia, NCD5701CDR2G, 7.8A Medio puente SOIC, 8 pines Inversión Medio puente
5
P.O.A.
Driver MOSFET de potencia, NCD5701CDR2G, 7.8A Medio puente SOIC, 8 pines Inversión Medio puente
Información de stock no disponible temporalmente.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConteo de Pines
8
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tiempo de Bajada
19ns
Número de salidas
1
Tiempo de Subida
18ns
Topología
Half Bridge
Número de Drivers
1
Retardo de tiempo
25ns
Tipo de Puente
Medio puente
Polarity
Inverting
Tipo de montaje
Surface Mount