Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
78 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.85mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 a 10 V nC
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
78 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.85mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 a 10 V nC
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto