Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO 236AB, TO-236AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
P.O.A.
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1
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Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO 236AB, TO-236AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC