Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-50nA
Altura
1.6mm
Profundidad
2.6mm
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 0,177
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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Corriente Máxima Continua del Colector
-1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-50nA
Altura
1.6mm
Profundidad
2.6mm
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.6mm
País de Origen
China
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