MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.2mm
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Ancho
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