Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia