MOSFET IXYS IXFN140N30P, VDSS 300 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 193-739Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

300 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

24 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

700000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

185 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.2mm

Ancho

25.07mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.6mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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2€ 68,32
3€ 102,47
4€ 136,63
5€ 165,53
6€ 198,63
7€ 231,74
8€ 264,84
9€ 297,95
10€ 331,05
11€ 364,16
12€ 397,26
13€ 430,37
14€ 463,47
15€ 496,58

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