MOSFET IXYS IXFA80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Serie
HiperFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 a 10 V nC
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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| 10 - 24 | € 7,50 |
| 25+ | € 7,18 |
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N
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.41mm
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