MOSFET IXYS IXFA80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Serie
HiperFET
Altura
4.83mm
Longitud:
10.41mm
Profundidad
11.05mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
Brand
IXYSResistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 a 10 V nC
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| 5 - 9 | € 7,89 |
| 10 - 24 | € 7,50 |
| 25+ | € 7,18 |
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N
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Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Serie
HiperFET
Altura
4.83mm
Longitud:
10.41mm
Profundidad
11.05mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
Brand
IXYSResistencia Máxima Drenador-Fuente
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